የሲሲ ሽፋን ግራፋይት MOCVD ዋፈር ተሸካሚዎች፣ግራፋይት ሱስሴፕተሮችለሲሲ ኤፒታክሲ፣
ካርቦን ተጠርጣሪዎችን ያቀርባል, epitaxy susceptors, ግራፋይት ሱስሴፕተሮች,
የሲቪዲ-ሲሲ ሽፋን አንድ ወጥ መዋቅር ፣ የታመቀ ቁሳቁስ ፣ ከፍተኛ የሙቀት መጠን መቋቋም ፣ ኦክሳይድ መቋቋም ፣ ከፍተኛ ንፅህና ፣ አሲድ እና አልካሊ መቋቋም እና ኦርጋኒክ ሬጀንት ፣ የተረጋጋ አካላዊ እና ኬሚካዊ ባህሪዎች አሉት።
ከከፍተኛ ንፅህና የግራፋይት ቁሶች ጋር ሲነፃፀር ግራፋይት በ 400C ኦክሳይድ ይጀምራል ፣ ይህም በኦክሳይድ ምክንያት የዱቄት መጥፋት ያስከትላል ፣ ይህም ወደ ተጓዳኝ መሳሪያዎች እና የቫኩም ክፍሎች የአካባቢ ብክለት ያስከትላል ፣ እና የከፍተኛ ንፅህና አከባቢን ቆሻሻዎች ይጨምራል።
ይሁን እንጂ የሲሲ ሽፋን አካላዊ እና ኬሚካላዊ መረጋጋትን በ 1600 ዲግሪ ማቆየት ይችላል, በዘመናዊ ኢንዱስትሪ ውስጥ በተለይም በሴሚኮንዳክተር ኢንዱስትሪ ውስጥ በሰፊው ጥቅም ላይ ይውላል.
ድርጅታችን በግራፋይት ፣ ሴራሚክስ እና ሌሎች ቁሳቁሶች ላይ የሲሲ ሽፋን ሂደትን በሲቪዲ ዘዴ ያቀርባል ፣ ስለሆነም ካርቦን እና ሲሊኮን የያዙ ልዩ ጋዞች በከፍተኛ የሙቀት መጠን ምላሽ እንዲሰጡ ከፍተኛ ንፅህናን SiC ሞለኪውሎችን ፣ በተሸፈኑ ቁሳቁሶች ላይ የተከማቹ ሞለኪውሎች ፣ የ SIC መከላከያ ንብርብር መፍጠር.የተፈጠረው SIC ከግራፋይት መሰረት ጋር በጥብቅ የተሳሰረ ነው፣የግራፋይት መሰረትን ልዩ ባህሪያትን በመስጠት፣የግራፋይቱ ወለል የታመቀ፣Porosity-ነጻ፣ከፍተኛ የሙቀት መጠን መቋቋም፣የዝገት መቋቋም እና የኦክሳይድ መቋቋም።
ማመልከቻ፡-
ዋና ዋና ባህሪያት:
1. ከፍተኛ የሙቀት መጠን ኦክሳይድ መቋቋም;
የሙቀት መጠኑ እስከ 1700 C ሲደርስ የኦክሳይድ መከላከያው አሁንም በጣም ጥሩ ነው.
2. ከፍተኛ ንፅህና፡- በከፍተኛ የሙቀት ክሎሪን ሁኔታ በኬሚካል ትነት ክምችት የተሰራ።
3. የአፈር መሸርሸር መቋቋም: ከፍተኛ ጥንካሬ, የታመቀ ገጽ, ጥቃቅን ቅንጣቶች.
4. የዝገት መቋቋም: አሲድ, አልካሊ, ጨው እና ኦርጋኒክ reagents.
የCVD-SIC ሽፋን ዋና ዝርዝሮች፡-
ሲሲ-ሲቪዲ | ||
ጥግግት | (ግ/ሲሲ)
| 3.21 |
ተለዋዋጭ ጥንካሬ | (ኤምፓ)
| 470 |
የሙቀት መስፋፋት | (10-6/ኪ) | 4
|
የሙቀት መቆጣጠሪያ | (ወ/ኤምኬ) | 300 |
የአቅርቦት አቅም፡-
10000 ቁራጭ/በወር
ማሸግ እና ማድረስ፡
ማሸግ: መደበኛ እና ጠንካራ ማሸግ
ፖሊ ቦርሳ + ሣጥን + ካርቶን + ፓሌት
ወደብ፡
ኒንቦ/ሼንዘን/ሻንጋይ
የመምራት ጊዜ፥
ብዛት (ቁራጮች) | 1 - 1000 | > 1000 |
እ.ኤ.አ.ጊዜ(ቀናት) | 15 | ለመደራደር |