ከ VET ኢነርጂ የሚገኘው የ6 ኢንች ሴሚ ኢንሱሊንግ ሲሲ ዋይፈር ለከፍተኛ ሃይል እና ለከፍተኛ ድግግሞሽ አፕሊኬሽኖች የላቀ መፍትሄ ሲሆን የላቀ የሙቀት መቆጣጠሪያ እና የኤሌክትሪክ መከላከያን ያቀርባል። እነዚህ ከፊል-ኢንሱላር ቫውቸር እንደ RF amplifiers, power switches እና ሌሎች ከፍተኛ-ቮልቴጅ ክፍሎችን በመሳሰሉ መሳሪያዎች ውስጥ አስፈላጊ ናቸው. VET ኢነርጂ ወጥነት ያለው ጥራትን እና አፈፃፀምን ያረጋግጣል ፣ይህም ቫፈር ለብዙ ሴሚኮንዳክተር ማምረቻ ሂደቶች ተስማሚ ያደርገዋል።
እነዚህ የሲሲ ዋይፋሮች ከድንቅ መከላከያ ባህሪያቸው በተጨማሪ ሲ ዋፈር፣ ሲሲ ሳብስትሬት፣ SOI Wafer፣ Sin Substrate እና Epi Waferን ጨምሮ ከተለያዩ ቁሳቁሶች ጋር ተኳሃኝ በመሆናቸው ለተለያዩ የምርት ሂደቶች ሁለገብ ያደርጋቸዋል። ከዚህም በላይ እንደ Gallium Oxide Ga2O3 እና AlN Wafer ያሉ የላቁ ቁሶች ከነዚህ ሲሲ ዋይፋሮች ጋር በማጣመር ከፍተኛ ሃይል ባላቸው የኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎች ላይ የበለጠ ተለዋዋጭነትን ያቀርባል። ዋፈርዎቹ እንደ ካሴት ሲስተም ካሉ የኢንዱስትሪ ደረጃ አያያዝ ስርዓቶች ጋር እንከን የለሽ ውህደታቸውን በጅምላ ማምረቻ መቼቶች ውስጥ ለመጠቀም ቀላልነትን ለማረጋገጥ የተነደፉ ናቸው።
VET ኢነርጂ Si Wafer፣ SiC Substrate፣ SOI Wafer፣ Sin Substrate፣ Epi Wafer፣ Gallium Oxide Ga2O3 እና AlN Waferን ጨምሮ አጠቃላይ የሴሚኮንዳክተር ንኡስ ፖርትፎሊዮ ያቀርባል። የእኛ ልዩ ልዩ የኤሌክትሮኒክስ አፕሊኬሽኖች ከኃይል ኤሌክትሮኒክስ እስከ RF እና optoelectronics ድረስ የተለያዩ የኤሌክትሮኒክስ አፕሊኬሽኖች ፍላጎቶችን ያሟላል።
6 ኢንች ከፊል-መከላከያ SiC wafer በርካታ ጥቅሞችን ይሰጣል።
ከፍተኛ ብልሽት ቮልቴጅ፡- የሲሲ ሰፊ ባንድጋፕ ከፍተኛ የተበላሹ ቮልቴቶችን ያስችላል፣ ይህም የበለጠ የታመቀ እና ቀልጣፋ የሃይል መሳሪያዎች እንዲኖር ያስችላል።
ከፍተኛ የሙቀት መጠን ያለው አሠራር፡ የሲሲው እጅግ በጣም ጥሩ ቴርማል ኮንዳክሽን ከፍ ባለ የሙቀት መጠን እንዲሠራ ያስችለዋል፣ የመሣሪያውን አስተማማኝነት ያሻሽላል።
ዝቅተኛ የመቋቋም ችሎታ፡ የሲሲ መሳሪያዎች ዝቅተኛ የመቋቋም አቅምን ያሳያሉ፣የኃይል መጥፋትን ይቀንሳሉ እና የኢነርጂ ውጤታማነትን ያሻሽላሉ።
VET Energy የእርስዎን ልዩ ፍላጎቶች ለማሟላት፣ የተለያዩ ውፍረት፣ የዶፒንግ ደረጃዎች እና የገጽታ ማጠናቀቂያዎችን ጨምሮ ሊበጁ የሚችሉ የሲሲ ዋይፎችን ያቀርባል። የባለሙያ ቡድናችን ስኬትዎን ለማረጋገጥ የቴክኒክ ድጋፍ እና ከሽያጭ በኋላ አገልግሎት ይሰጣል።
WAFERING መግለጫዎች
*n-Pm=n-አይነት Pm-Grade፣n-Ps=n-type Ps-Grade፣Sl=ከፊል-lnsulating
ንጥል | 8-ኢንች | 6-ኢንች | 4-ኢንች | ||
nP | n-Pm | n-መዝ | SI | SI | |
ቲቲቪ(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
ቀስት(GF3YFCD)-ፍፁም እሴት | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
ዋርፕ(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10ሚሜx10ሚሜ | <2μm | ||||
ዋፈር ጠርዝ | ቤቪሊንግ |
ወለል አጨራረስ
*n-Pm=n-አይነት Pm-Grade፣n-Ps=n-type Ps-Grade፣Sl=ከፊል-lnsulating
ንጥል | 8-ኢንች | 6-ኢንች | 4-ኢንች | ||
nP | n-Pm | n-መዝ | SI | SI | |
የገጽታ ማጠናቀቅ | ባለ ሁለት ጎን ኦፕቲካል ፖላንድኛ፣ ሲ- ፊት ሲኤምፒ | ||||
የገጽታ ሸካራነት | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
የጠርዝ ቺፕስ | ምንም አይፈቀድም (ርዝመት እና ስፋት≥0.5ሚሜ) | ||||
ገባዎች | ምንም አልተፈቀደም። | ||||
ጭረቶች(ሲ-ፊት) | Qty.≤5፣ ድምር | Qty.≤5፣ ድምር | Qty.≤5፣ ድምር | ||
ስንጥቆች | ምንም አልተፈቀደም። | ||||
የጠርዝ ማግለል | 3 ሚሜ |