VET ኢነርጂ 12-ኢንች SOI wafer ከፍተኛ አፈጻጸም ያለው ሴሚኮንዳክተር substrate ቁሳቁስ ነው፣ እሱም ለምርጥ የኤሌክትሪክ ባህሪያቱ እና ልዩ አወቃቀሩ በጣም የተወደደ ነው። VET ኢነርጂ ከፍተኛ አፈጻጸም ላላቸው የተቀናጁ ወረዳዎችዎ ጠንካራ መሰረት በመስጠት ቫፈር እጅግ በጣም ዝቅተኛ የውሃ ፍሰት፣ ከፍተኛ ፍጥነት እና የጨረር መከላከያ እንዳለው ለማረጋገጥ የላቀ የ SOI ዋፈር ማምረቻ ሂደቶችን ይጠቀማል።
የVET ኢነርጂ ምርት መስመር በ SOI ዋፈርስ ብቻ የተገደበ አይደለም። እንዲሁም Si Wafer፣ SiC Substrate፣ Sin Substrate፣ Epi Wafer፣ ወዘተ፣ እንዲሁም እንደ Gallium Oxide Ga2O3 እና AlN Wafer ያሉ አዲስ ሰፊ የባንድጋፕ ሴሚኮንዳክተር ቁሶችን ጨምሮ ሰፋ ያለ የሴሚኮንዳክተር ንብረ-ቁሳቁሶችን እናቀርባለን። እነዚህ ምርቶች በሃይል ኤሌክትሮኒክስ, RF, ሴንሰሮች እና ሌሎች መስኮች የተለያዩ ደንበኞችን የመተግበሪያ ፍላጎቶች ሊያሟሉ ይችላሉ.
በልህቀት ላይ በማተኮር፣የእኛ SOI ዋፍሮች በሁሉም የስራ ደረጃ አስተማማኝነት እና ቅልጥፍናን ለማረጋገጥ እንደ ጋሊየም ኦክሳይድ Ga2O3፣ ካሴቶች እና አልኤን ዋይፎች ያሉ የላቀ ቁሳቁሶችን ይጠቀማሉ። ለቴክኖሎጂ እድገት መንገድ የሚጠርጉ ቆራጥ መፍትሄዎችን ለማቅረብ VET Energyን ይመኑ።
በVET Energy 12-ኢንች SOI ዋፈርስ የላቀ አፈጻጸም የፕሮጀክትዎን እምቅ አቅም ይልቀቁ። በተለዋዋጭ የሴሚኮንዳክተር ቴክኖሎጂ መስክ ውስጥ ለስኬት መሰረት በመጣል ጥራትን፣ ትክክለኛነትን እና ፈጠራን በሚያካትቱ ዋይፎች አማካኝነት የፈጠራ ችሎታዎን ያሳድጉ። ከተጠበቀው በላይ ለሚሆኑ ፕሪሚየም SOI ዋፈር መፍትሄዎች VET Energyን ይምረጡ።
WAFERING መግለጫዎች
*n-Pm=n-አይነት Pm-Grade፣n-Ps=n-type Ps-Grade፣Sl=ከፊል-ልnsulating
ንጥል | 8-ኢንች | 6-ኢንች | 4-ኢንች | ||
nP | n-Pm | n-መዝ | SI | SI | |
ቲቲቪ(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
ቀስት(GF3YFCD)-ፍፁም እሴት | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
ዋርፕ(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10ሚሜx10ሚሜ | <2μm | ||||
ዋፈር ጠርዝ | ቤቪሊንግ |
ወለል አጨራረስ
*n-Pm=n-አይነት Pm-Grade፣n-Ps=n-type Ps-Grade፣Sl=ከፊል-ልnsulating
ንጥል | 8-ኢንች | 6-ኢንች | 4-ኢንች | ||
nP | n-Pm | n-መዝ | SI | SI | |
የገጽታ ማጠናቀቅ | ባለ ሁለት ጎን ኦፕቲካል ፖላንድኛ፣ ሲ- ፊት ሲኤምፒ | ||||
የገጽታ ሸካራነት | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
የጠርዝ ቺፕስ | ምንም አይፈቀድም (ርዝመት እና ስፋት≥0.5ሚሜ) | ||||
ገባዎች | ምንም አልተፈቀደም። | ||||
ጭረቶች(Si-Face) | Qty.≤5፣ ድምር | Qty.≤5፣ ድምር | Qty.≤5፣ ድምር | ||
ስንጥቆች | ምንም አልተፈቀደም። | ||||
የጠርዝ ማግለል | 3 ሚሜ |