SiC coating grafiet MOCVD Wafer draers,Grafiet-opnemersvir SiC Epitaksie,
Koolstof verskaf susceptors, epitaksis susceptors, Grafiet-opnemers,

CVD-SiC-bedekking het die eienskappe van eenvormige struktuur, kompakte materiaal, hoë temperatuurweerstand, oksidasieweerstand, hoë suiwerheid, suur- en alkaliweerstand en organiese reagens, met stabiele fisiese en chemiese eienskappe.

In vergelyking met hoë-suiwer grafiet materiale, grafiet begin om te oksideer by 400C, wat 'n verlies van poeier sal veroorsaak as gevolg van oksidasie, wat lei tot omgewingsbesoedeling van perifere toestelle en vakuum kamers, en verhoog onsuiwerhede van hoë suiwer omgewing.

SiC-bedekking kan egter fisiese en chemiese stabiliteit by 1600 grade handhaaf, Dit word wyd gebruik in die moderne industrie, veral in die halfgeleierbedryf.

Ons maatskappy bied SiC-bedekkingsprosesdienste volgens CVD-metode op die oppervlak van grafiet, keramiek en ander materiale, sodat spesiale gasse wat koolstof en silikon bevat teen hoë temperatuur reageer om hoë suiwer SiC-molekules te verkry, molekules wat op die oppervlak van die bedekte materiale neergelê word, die vorming van SIC beskermende laag. Die SIC wat gevorm word, is stewig aan die grafietbasis gebind, wat die grafietbasis spesiale eienskappe gee, wat die oppervlak van die grafiet dus kompak maak, poreusheidvry, hoë temperatuurweerstand, korrosiebestandheid en oksidasieweerstand.

Aansoek:

Belangrikste kenmerke:

1. Hoë temperatuur oksidasie weerstand:

die oksidasie weerstand is steeds baie goed wanneer die temperatuur so hoog as 1700 C is.

2. Hoë suiwerheid: gemaak deur chemiese dampneerlegging onder hoë temperatuur chloreringstoestand.

3. Erosiebestandheid: hoë hardheid, kompakte oppervlak, fyn deeltjies.

4. Korrosiebestandheid: suur, alkali, sout en organiese reagense.

Hoofspesifikasies van CVD-SIC Coatings:

Verskaf vermoë:

10000 Stuk/Stuks per maand
Verpakking en aflewering:
Verpakking: Standaard en sterk verpakking
Polisak + Doos + Karton + Pallet
Poort:
Ningbo/Shenzhen/Sjanghai
Leityd: