SiC-bedekking kan voorberei word deur chemiese dampneerslag (CVD), voorlopertransformasie, plasmabespuiting, ens. Die bedekking wat deur CHEMIESE dampneerlegging voorberei word, is eenvormig en kompak, en het goeie ontwerpbaarheid. Gebruik metieltrichlosilaan. (CHzSiCl3, MTS) as silikon bron, SiC coating voorberei deur CVD metode is 'n relatief volwasse metode vir die toepassing van hierdie coating.
SiC-bedekking en grafiet het goeie chemiese verenigbaarheid, die verskil in termiese uitsettingskoëffisiënt tussen hulle is klein, met behulp van SiC-bedekking kan die slytasieweerstand en oksidasieweerstand van grafietmateriaal effektief verbeter. Onder hulle het stoïgiometriese verhouding, reaksietemperatuur, verdunningsgas, onsuiwerheidsgas en ander toestande groot invloed op die reaksie.
Postyd: 14 September 2022