Nuus

Wat is die defekte van silikonkarbied epitaksiale laag
deur admin op 24-06-05
Die kerntegnologie vir die groei van SiC-epitaksiale materiale is eerstens defekbeheertegnologie, veral vir defekbeheertegnologie wat geneig is tot toestelfout of betroubaarheidsdegradasie. Die studie van die meganisme van substraatdefekte wat tot in die epi...
Lees meer
Geoksideerde staande graan en epitaksiale groei tegnologie-Ⅱ
deur admin op 24-05-30
2. Epitaksiale dunfilmgroei Die substraat verskaf 'n fisiese ondersteuningslaag of geleidende laag vir Ga2O3-kragtoestelle. Die volgende belangrike laag is die kanaallaag of epitaksiale laag wat gebruik word vir spanningweerstand en draervervoer. Ten einde afbreekspanning te verhoog en kon ...
Lees meer
Galliumoksied enkelkristal en epitaksiale groeitegnologie
deur admin op 24-05-30
Wye bandgaping (WBG) halfgeleiers verteenwoordig deur silikonkarbied (SiC) en galliumnitried (GaN) het wydverspreide aandag geniet. Mense het hoë verwagtinge vir die toepassingsvooruitsigte van silikonkarbied in elektriese voertuie en kragnetwerke, sowel as die toepassingsvooruitsigte van gallium...
Lees meer
Wat is die tegniese hindernisse vir silikonkarbied?Ⅱ
deur admin op 24-05-22
Die tegniese probleme in die stabiele massaproduksie van hoë-gehalte silikonkarbied-wafels met stabiele werkverrigting sluit in: 1) Aangesien kristalle in 'n hoë-temperatuur verseëlde omgewing bo 2000°C moet groei, is die temperatuurbeheervereistes uiters hoog; 2) Aangesien silikonkarbied ...
Lees meer
Wat is die tegniese hindernisse vir silikonkarbied?
deur admin op 24-05-22
Die eerste generasie halfgeleiermateriale word verteenwoordig deur tradisionele silikon (Si) en germanium (Ge), wat die basis is vir die vervaardiging van geïntegreerde stroombane. Hulle word wyd gebruik in lae-spanning, lae-frekwensie, en lae-krag transistors en detektors. Meer as 90% van halfgeleierprodukte...
Lees meer
Hoe word SiC mikropoeier gemaak?
deur admin op 24-05-13
SiC enkelkristal is 'n Groep IV-IV saamgestelde halfgeleiermateriaal wat bestaan uit twee elemente, Si en C, in 'n stoïgiometriese verhouding van 1:1. Die hardheid daarvan is net tweede vir diamant. Die koolstofreduksie van silikonoksiedmetode om SiC voor te berei is hoofsaaklik gebaseer op die volgende chemiese reaksieformule...
Lees meer
Hoe help epitaksiale lae halfgeleiertoestelle?
deur admin op 24-05-13
Die oorsprong van die naam epitaksiale wafer Eerstens, laat ons 'n klein konsep gewild maak: wafer voorbereiding sluit twee hoofskakels in: substraat voorbereiding en epitaksiale proses. Die substraat is 'n wafel gemaak van halfgeleier enkelkristal materiaal. Die substraat kan direk die wafelvervaardiging binnegaan ...
Lees meer
Inleiding tot chemiese dampneerslag (CVD) dunfilmneerslagtegnologie
deur admin op 24-05-06
Chemiese dampafsetting (CVD) is 'n belangrike dunfilmafsettingstegnologie, wat dikwels gebruik word om verskeie funksionele films en dunlaagmateriale voor te berei, en word wyd gebruik in halfgeleiervervaardiging en ander velde. 1. Werksbeginsel van CVD In die CVD-proses is 'n gasvoorloper (een of...
Lees meer
Die "swartgoud" geheim agter die fotovoltaïese halfgeleierbedryf: die begeerte en afhanklikheid van isostatiese grafiet
deur admin op 24-05-06
Isostatiese grafiet is 'n baie belangrike materiaal in fotovoltaïese en halfgeleiers. Met die vinnige opkoms van binnelandse isostatiese grafietmaatskappye, is die monopolie van buitelandse maatskappye in China verbreek. Met voortdurende onafhanklike navorsing en ontwikkeling en tegnologiese deurbrake, het die ...
Lees meer