Met die geleidelike massaproduksie van geleidende SiC-substrate word hoër vereistes vir die stabiliteit en herhaalbaarheid van die proses gestel. Veral die beheer van defekte, die klein aanpassing of wegdrywing van die hitteveld in die oond, sal kristalveranderinge of die toename van defekte teweegbring. In die latere tydperk moet ons die uitdaging trotseer om “vinnig, lank en dik te groei, en groot te word”, benewens die verbetering van teorie en ingenieurswese, benodig ons ook meer gevorderde termiese veldmateriale as ondersteuning. Gebruik gevorderde materiale, groei gevorderde kristalle.
Onbehoorlike gebruik van smeltkroesmateriale, soos grafiet, poreuse grafiet, tantaalkarbiedpoeier, ens. in die warm veld sal lei tot defekte soos verhoogde koolstofinsluiting. Daarbenewens, in sommige toepassings, is die deurlaatbaarheid van poreuse grafiet nie genoeg nie, en bykomende gate is nodig om die deurlaatbaarheid te verhoog. Die poreuse grafiet met hoë deurlaatbaarheid staar die uitdagings van verwerking, poeierverwydering, ets en so meer in die gesig.
VET stel 'n nuwe generasie SiC kristalgroeiende termiese veldmateriaal, poreuse tantaalkarbied, bekend. ’n Wêrelddebuut.
Die sterkte en hardheid van tantaalkarbied is baie hoog, en dit is 'n uitdaging om dit poreus te maak. Om poreuse tantaalkarbied met groot porositeit en hoë suiwerheid te maak is 'n groot uitdaging. Hengpu Tegnologie het 'n deurbraak poreuse tantaalkarbied met 'n groot porositeit, met 'n maksimum porositeit van 75%, bekend gestel, wat die wêreld lei.
Gasfase-komponentfiltrering, aanpassing van plaaslike temperatuurgradiënt, rigting van materiaalvloei, beheer van lekkasie, ens., kan gebruik word. Dit kan saam met 'n ander soliede tantaalkarbied (kompak) of tantaalkarbiedbedekking van Hengpu Technology gebruik word om plaaslike komponente met verskillende vloeigeleiding te vorm.
Sommige komponente kan hergebruik word.
Postyd: 14 Julie 2023